自己整合型ノーマリーオフGaN MISFET

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD11041

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス研究会

発行日: 2011/03/01

タイトル(英語): Self-Aligned Normally-Off GaN MISFET

著者名: 田口 真也(法政大学),長谷川 一也(法政大学),野本 一貴(法政大学),中村 徹(法政大学)

著者名(英語): Shinya Taguchi(Hosei University),Kazuya Hasegawa(Hosei University),Kazuki Nomoto(Hosei University),Tohru Nakamura(Hosei University)

キーワード: ノーマリーオフ|エンハンスモード|窒化ガリウム|電界効果トランジスタ|GaN|MISFET|MOSFET|enhancement|Normally-Off

要約(日本語): 自己整合法、イオン注入法を用いたノーマリーオフGaN MISFETを実証した。作製したデバイスのゲート長2um、ゲート幅50umにおける最大ドレイン電流、最大相互コンダクタンスは、それぞれ150mA/mm、14mS/mmであり、しきい値電圧は+0.92Vであった。最大ドレイン電流、最大相互コンダクタンスの値は、過去に報告された従来型のMISFETの中で最も高いものである。

要約(英語): We demonstrate normally-off GaN MISFETs made by utilizing self-alignment process using ion implantation and precisely controlled silicidation gate　technologies. The GaN MISFETs obtained Idss of 150 mA/mm, gmmax of 14 mS/mm and threshold voltage of +0.92 V. The Idss and gmmax are the highest value for the conventional GaN MIS-FETs ever reported.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 570 Kバイト