L帯～W帯GaN高出力増幅器技術

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD11042

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス研究会

発行日: 2011/03/02

タイトル(英語): L to W-band GaN Power Amplifier Technology for Wireless Applications

著者名: 松永 高治(日本電気)

著者名(英語): Kohji MATSUNAGA(NEC Corporation)

キーワード: ＧａＮ＿ＦＥＴ|Ｓｉ基板上ＧａＮ|ＧａＮ＿ＭＭＩＣ|増幅器|高効率|低歪|GaN_FET|GaN on Si substrate|GaN_MMIC|Amplifier|High efficiency|Low distortion

要約(日本語): 本報告では、電流コラップスを低減したフィールドプレート構造GaN_FETを搭載した、L帯～Ka帯電力増幅器、さらにはKa帯以上GaN_MMIC増幅器の設計と特性について述べる。

要約(英語): This paper describes design and performance of L to W-band GaN high power amplifier.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 751 Kバイト