ECRスパッタSiNの膜質がSiN/AlGaN/GaN MIS-HFET特性に与える影響

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD11043

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス研究会

発行日: 2011/03/02

タイトル(英語): ECR sputtered SiN film quality effects on the characteristics of SiN/AlGaN/GaN MIS-HFETs

著者名: 脇 英司(新日本無線),深澤 義道(新日本無線),伏見 浩(新日本無線),江川 孝志(名古屋工業大学)

著者名(英語): Waki Eiji(New Japan Radio Co.,Ltd.),Fukasawa Yoshimichi(New Japan Radio Co.,Ltd.),Fushimi Hiroshi(New Japan Radio Co.,Ltd.),Egawa Takashi(Nagoya Institute of Technology)

キーワード: ＥＣＲスパッタ|ＳｉＮ|ＡｌＧａＮ／ＧａＮ|ＭＩＳ－ＨＦＥＴ|電流コラプス|ゲートリーク電流|ECR sputter|SiN|AlGaN/GaN|MIS-HFET|current collapse|gate leakage current

要約(日本語): 低損傷で緻密な成膜が可能なECRスパッタでSiNを作製し，AlGaN/GaN MIS-HFETに適用して電流コラプスとゲートリークの抑制を試みた．ECRで成膜したSiNでは，SiとNの組成比に依存して，電流コラプスとゲートリークの抑制がトレードオフになる．特に，Si-richなSiNで電流コラプスが抑制された．これらECR特有のSiN膜による特性変化を，過剰に存在するSiの挙動を考え，SiN/AlGaN界面におけるAl-O結合に関するモデルで説明した．

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 739 Kバイト