４族系非シリコンFETの可能性と課題　－ゲルマニウムとグラフェンの場合　－

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD11046

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス研究会

発行日: 2011/03/02

タイトル(英語): Opportunities and Challenges in Group IV Non-Si Materials FET

著者名: 鳥海 明(東京大学)

著者名(英語): Toriumi Akira(The University of Tokyo)

要約(日本語): 最近、非シリコン系材料の研究開発が多くなってきた。新しい材料には常に優位点がある一方で欠点もある。本講演では、ゲルマニウムとグラフェンを例にとり、我々の実験結果をもとにして、それらの可能性と問題点を議論したい。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 633 Kバイト