ＩｎＰ系ＨＥＭＴの低雑音化とミリ波応用

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD11047

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス研究会

発行日: 2011/03/02

タイトル(英語): Low noise InP-based HEMT and its millimeter wave applications

著者名: 原 直紀(富士通,富士通研究所),高橋 剛(富士通,富士通研究所),牧山 剛三(富士通,富士通研究所),中舍 安宏(富士通,富士通研究所)

著者名(英語): Hara Naoki(Fujitsu Ltd. and Fujitsu Laboratories Ltd.),Takahashi Tsuyoshi(Fujitsu Ltd. and Fujitsu Laboratories Ltd.),Makiyama Kozo(Fujitsu Ltd. and Fujitsu Laboratories Ltd.),Nakasha Yasuhiro(Fujitsu Ltd. and Fujitsu Laboratories Ltd.)

キーワード: ＩｎＰ　ＨＥＭＴ|低雑音|ミリ波|InP HEMT|Low-noise|millimeter wave

要約(日本語): スケーリングと空洞構造デバイス採用により、InP系HEMTの寄生抵抗と寄生容量を低減して、ミリ波帯において、低雑音性能を実現した。

要約(英語): We reduced parasitic resistances and capacitances by scaling vertical and horizontal dimennsions and employing a nobel cavity structure. We have, then, achieved extremely low noise characteristics at millimeter wave frequency.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 642 Kバイト