76GHz帯車載レーダー用低雑音高信頼性InP/GaAsSb DHBT

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD11049

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス研究会

発行日: 2011/03/02

タイトル(英語): A Low 1/f Noise and High Reliability InP/GaAsSb DHBT

著者名: 金谷 康(三菱電機),天清 宗山(三菱電機),渡辺 伸介(三菱電機),山本 佳嗣(三菱電機),小坂 尚希(三菱電機),宮國 晋一(三菱電機),後藤 清毅(三菱電機),島 顕洋(三菱電機)

著者名(英語): Kanaya Koh(Mitsubishi Electric Corporation),Amasuga Hirotaka(Mitsubishi Electric Corporation),Watanabe Shinsuke(Mitsubishi Electric Corporation),Yamamoto Yoshitsugu(Mitsubishi Electric Corporation),Kosaka Naoki(Mitsubishi Electric Corporation),Miyakuni Shinichi(Mitsubishi Electric Corporation),Goto Seiki(Mitsubishi Electric Corporation),Shima Akihiro(Mitsubishi Electric Corporation)

キーワード: ＩｎＰ|ＧａＡｓＳｂ|ＨＢＴ|１／ｆ雑音|発振器|位相雑音|InP|GaAsSb|HBT|1/f noise|recombination current|phase noise

要約(日本語): InP/GaAsSb DHBTの再結合電流を解析した結果、ベース表面に起因する準位が支配要因であることが分かった。そこで、ベース表面構造を最適化して再結合電流を抑制した。最適化したHBTの1/f雑音は7dB低減し、1000hrの高温DC通電試験でも劣化は示さなかった。本HBTを用いた発振器の位相雑音は、最適化前より10dB低い-107 dBc/Hz@1MHz-Offsetと優れた特性を示した。

要約(英語): We have clarified that the recombination current of the InP/GaAsSb DHBT originates from the base surface. The optimized HBT offers the lower 1/f noise than the non-optimized DHBT by 7 dB. Additionally, in the high temperature burn-in test, no degradation has been observed. The W-band oscillator with the HBT delivers the lower phase noise of -107 dBc/Hz at 1MHz-offset compared with the non-optimized HBT oscillator by 10 dB.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 647 Kバイト