分極接合を用いたGaNパワー素子

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD11050

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス研究会

発行日: 2011/10/27

タイトル(英語): GaN power devices using the polarization junction concept

著者名: 中島 昭(産業技術総合研究所),住田 行常(パウデック),八木 修一(パウデック),Mahesh H. Dhyani (シェフィールド大学),河合 弘治(パウデック),E. M. Sankara Narayanan (シェフィールド大学)

著者名(英語): Nakajima Akira(AIST),Yasunobu Sumida(POWDEC K. K.),Yagi Shuichi(POWDEC K. K.),Mahesh H. Dhyani (The University of Sheffield),Kawai Hiroji(POWDEC K. K.),E. M. Sankara Narayanan (The University of Sheffield)

キーワード: 窒化ガリウム|２次元ホールガス|２次元電子ガス|分極接合|超接合|ヘテロ接合電界効果型トランジスタ|GaN|2-D electron gas|2-D hole gas|polarization junction|super junction |HFET

要約(日本語): 本論文では分極接合の基本原理、素子構造の提案、および分極接合を採用したヘテロ接合トランジスタおよびダイオードのサファイア基板上への試作結果について報告する。試作には高密度の2次元電子ガスおよび2次元ホールガスを有するGaN/AlGaN/GaNダブルヘテロ構造を用いた。トランジスタおよびダイオード共に1.1kV以上の耐圧が得られ、電流コラプスについても大幅に低減された。また、今後の展望についても報告する。

要約(英語): GaN Heterojunction Field Effect Transistors (HFET) and Schottky Barrier Diode (SBD) based on the polarization junction (PJ) concept are demonstrated. PJ concept is a novel field shaping technology utilizing unique polarization properties of group-III nitride semiconductors. These devices were fabricated from a GaN/AlGaN/GaN hetero structure with high density 2D hole and electron gas at the respective hetero-interfaces. The fabricated HFETs and SBDs show breakdown voltage above 1.1 kV with no current collapse.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,242 Kバイト