Si基板上高破壊電圧ノーマリオフAlGaN/GaN hybrid MOS-HFET

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD11051

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス研究会

発行日: 2011/10/27

タイトル(英語): High Breakdown Voltage Normally-off AlGaN/GaN hybrid MOS-HFET on Si substrate

著者名: 神林 宏(次世代パワーデバイス技術研究組合),田村 亮介(次世代パワーデバイス技術研究組合),古川 拓也(次世代パワーデバイス技術研究組合),佐藤 義浩(次世代パワーデバイス技術研究組合),池田 成明(次世代パワーデバイス技術研究組合),野村 剛彦(次世代パワーデバイス技術研究組合),加藤 禎宏(次世代パワーデバイス技術研究組合)

著者名(英語): Kambayashi Hiroshi(Advanced Power Device Research Association),Tamura Ryosuke(Advanced Power Device Research Association),Kokawa Takuya(Advanced Power Device Research Association),Sato Yoshihiro(Advanced Power Device Research Association),Ikeda Nariaki(Advanced Power Device Research Association),Nomura Takehiko(Advanced Power Device Research Association),Kato Sadahiro(Advanced Power Device Research Association)

キーワード: 高破壊電圧|低オン抵抗|ノーマリオフ動作|ゲートフィールドプレート|電流コラプス|シリコン基板|AlGaN/GaN hybrid MOS-HFET|Si substrate|normally-off|high breakdown voltage|low on-state resistance|current collapse

要約(日本語): Si基板上に作製した，高破壊電圧，低オン抵抗を有するノーマリオフGaN系FET，AlGaN/GaN hybrid MOS-HFETについて報告する．作製した素子は，しきい値電圧が2.0 Vの良好なノーマリオフ動作を示した．また，ゲートフィールドプレート構造を導入することにより電流コラプスが抑制出来ることを確認し，作製した素子のオン抵抗，破壊電圧は，ゲート―ドレイン間距離12 μmのときに7.1 mΩcm2，1.2 kV以上，18 μmのときに11.9 mΩcm2，1.7 kV以上を達成した．

要約(英語): We have demonstrated a normally-off GaN-based FET, AlGaN/GaN hybrid MOS-HFET, on Si substrate with a high breakdown voltage of over 1.7 KV and a low on-state resistance. We also exhibited that current collapse could be reduced by applying a gate field plate structure to the hybrid MOS-HFET.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 912 Kバイト