ダイオード逆回復サージ電圧の電流依存性に対するトラップ準位の影響

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD11053

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス研究会

発行日: 2011/10/27

タイトル(英語): Effect of Trap Level on Current Dependency of Reverse Recovery Surge Voltage of Diode

著者名: 山下 侑佑(豊田中央研究所),町田 悟(豊田中央研究所),杉山 隆英(豊田中央研究所),三角 忠司(トヨタ自動車)

著者名(英語): Yamashita Yusuke(Toyota Central R&D Labs),Machida Satoru(Toyota Central R&D Labs),Sugiyama Takahide(Toyota Central R&D Labs),Misumi Tadashi(Toyota Motor Corporation)

キーワード: ダイオード|サージ|トラップ|準位|結晶欠陥

要約(日本語): 電力変換に用いられるダイオードの逆回復サージ電圧は、システム信頼性の面で重要な特性の一つである。しかし、その電流依存性について考察された報告例は少ない。今回、サージ電圧の電流依存性を、結晶内に形成されたトラップの準位という新たな観点で、SRH統計理論、デバイスシミュレーション及び実際の素子との特性比較から考察した。この考察結果及び電流依存性を改善するトラップ準位設計の指針について報告する。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 867 Kバイト