RFC diodeの高リカバリー耐量化 逆回復動作におけるcurrent filament現象とその抑制

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD11054

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス研究会

発行日: 2011/10/27

タイトル(英語): Relaxation of Current Filament due to RFC Technology and Ballast Resistor for Robust FWD Operation

著者名: 西井 昭人(三菱電機),中村 勝光(三菱電機),増岡 史仁(三菱電機),寺島 知秀(三菱電機)

著者名(英語): Nishii Akito(Mitsubishi Electric Corporation),Nakamura Katsumi(Mitsubishi Electric Corporation),Masuoka Fumihito(Mitsubishi Electric Corporation),Terashima Tomohide(Mitsubishi Electric Corporation)

キーワード: ダイオード|リカバリー|リカバリー破壊|高耐圧|バラスト抵抗|カレントフィラメント|Diode|recovery|recovery capability|High Voltage|ballast resistance|current filament

要約(日本語): 我々が次世代Diodeとして提案してきたRFC Diodeの破壊メカニズムについてシミュレーションを用いて分析し、リカバリー破壊がcurrent filamentに起因した局所的な温度上昇によって引き起こされていることを明らかにした。また、アノード有効領域端にバラスト抵抗領域を設けることでcurrent filamentを抑え、破壊耐量を従来のRFC　Diodeに比べてさらに向上可能であることがわかった。

要約(英語): To achieve a large reverse recovery Safe Operating Area (SOA), we focus on the boundary region between the active area and the termination area. To enforce our Relaxed Field of Cathode concept, it is more effective for the wider SOA to place a ballast resistance for avoiding the current from crowding around the anode region in the top surface of the diode.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,131 Kバイト