GaN-FETの高効率駆動技術とそのパワーコンバータへの適用

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD11058

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス研究会

発行日: 2011/10/27

タイトル(英語): High Efficiency Drive Techniques suitable for GaN-FET and Its Evaluations in case of Power Converter Applications

著者名: 山本 真義(島根大学),野崎 優(島根大学),町田 修(サンケン電気株式会社)

著者名(英語): Masayoshi Yamamoto(Shimane University),Yu Nozaki(Shimane University),Osamu Machida(Sanken Electric Co.,Ltd.)

キーワード: ＧａＮ－ＦＥＴ|ゲート駆動回路|GaN-FET|Gate Drive Circuit

要約(日本語): 次世代型デバイスであるGaN-FETの基本的な駆動方式について紹介する。さらに現状の駆動方式におけるGaN-FET内蔵ボディダイオードにおける損失増加の問題点を指摘し，それらを解決可能な新しいアクティブ放電ゲート駆動回路を提案する。また，提案ゲート駆動回路を具備したGaN-FETの基本スイッチング動作，さらにはそれらをパワーシステムに適当した場合の各部動作波形観測，効率測定により提案ゲート駆動回路の有効性を確認する。

要約(英語): Next generation power semiconductor device, GaN-FET, and its fundamental drive method have been introduced in this paper. Furthermore, the problem which is loss increase one of body diode in GaN-FET has been pointed out, and a novel active discharged gate drive circuit suitable for GaN-FET is proposed. Its operating principles and low loss operation is discussed and evaluated effectiveness from the experimental point of view.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 929 Kバイト