PiNダイオードの逆回復時高周波振動の検討

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD11066

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス研究会

発行日: 2011/10/28

タイトル(英語): Discussion of High Frequency Oscillation on Power PiN Diode

著者名: 川神 圭一朗(九州工業大学),附田 正則(九州工業大学,国際アジア研究センター),国際アジア研究センター (九州工業大学),高濱 健一(九州工業大学),大村 一郎(九州工業大学)

著者名(英語): Kawakami keiichiro(Kyushu Institute of Technology),Tsukuda Masanori(Kyushu Institute of Technology,The International Ventre for the Study of East Asian Development,Kitakyushu),The International Ventre for the Study of East Asian Development (Kyushu Institute of Technology),Kitakyushu (Kyushu Institute of Technology),Takahama Kenichi(Kyushu Institute of Technology),Omura Ichiro(Kyushu Institute of Technology)

キーワード: ＰｉＮダイオード|逆回復|高周波振動|アバランシェ|シミュレーション|周波数|PiN Diode|Reverse Recovery|High Frequency Oscillation|Avalanche|Simulation|Frequency

要約(日本語): PiNダイオードの損失低減を妨げている逆回復時に発生するアバランシェ起因の電圧振動を解析した。この現象を解析するために定電流源を用い、シミュレーションの設定の簡易化と計算時間の短縮に成功した。解析の結果振動周波数のモデル化に達成し、振動周波数は逆回復電流とダイオード構造から予測できることが判明した。今後この解析方法とモデルを用いて、ダイオードの損失限界に向けた性能向上を図る。

要約(英語): Avalanche induced oscillation phenomena during reverse recovery of power PiN diodes are investigated for the purpose of "Design for EMI". The oscillation phenomena are the major barrier to improve power diode performance since the oscillation can cause serious EMI, affecting power electronics system reliability. The mechanism of the oscillation is precisely modelled under various diode structures and current ranges. The result will contribute to the design methodology to attain stable yet high performance diodes and power electronics systems.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 966 Kバイト