スーパージャンクションMOSFETのゲート制御性改善

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD11070

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス研究会

発行日: 2011/10/28

タイトル(英語): Improvement of gate controllability for new generation Superjunction MOSFETs

著者名: 入船 裕行(東芝),大田 浩史(東芝),角 保人(東芝),小野 昇太郎(東芝),齋藤 渉(東芝),辻 正敬(東芝),小野寺 純(東芝),松田 正(東芝),高野 彰夫(東芝)

著者名(英語): Irifune Hiroyuki(TOSHIBA CORPORATION),Ohta Hiroshi(TOSHIBA CORPORATION),Sumi Yasuto(TOSHIBA CORPORATION),Ono Syotaro(TOSHIBA CORPORATION),Saitou Wataru(TOSHIBA CORPORATION),Tsuji Masataka(TOSHIBA CORPORATION),Onodera Jun(TOSHIBA CORPORATION),Matsuda Tadashi(TOSHIBA CORPORATION),Takano Akio(TOSHIBA CORPORATION)

キーワード: スーパージャンクション|パワーＭＯＳ|高耐圧|スイッチング性能|Superjunction|Power MOS|High Voltege|Switching controllability

要約(日本語): 600Ｖ系スーパージャンクション(SJ)MOSFETにおいて、ゲートスイッチング性能を高めたDTMOS-Ⅲシリーズを開発した。DTMOS-Ⅲは、SJピラーとMOSパターンの最適化により外部ゲート抵抗による制御性を高め、電力効率とEMIノイズのトレードオフを改善した。さらに、SJピラーのドーズ量調整とピラーピッチ微細化によりトップクラスの低Ron化を実現した。

要約(英語): We developed new generation 600V-class superjunction (SJ) MOSFETs: DTMOS-III series, which have high switching controllability. DTMOS-III improved the trade-off characteristics between efficiency and EMI noise by the optimum combination of p/n-columns and MOS plane-patterns. In addition, low specific on-resistance of a top class was also realized by the optimum p/n-column dose and SJ lateral pitch narrowing.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 855 Kバイト