トレンチフィリングによる600VクラススーパージャンクションMOSFETに対するバーティカルチャージインバランス効果

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD11071

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス研究会

発行日: 2011/10/28

タイトル(英語): Vertical Charge Imbalance Effect on 600 V-class Trench-Filling Superjunction Power MOSFETs

著者名: 玉城 朋宏(ルネサスエレクトロニクス株式会社),中沢 芳人(ルネサスエレクトロニクス株式会社),金井 秀男(ルネサスエレクトロニクス株式会社),江口 聡司(ルネサスエレクトロニクス株式会社)

著者名(英語): Tamaki Tomohiro(Renesas Electronics Corporation),Nakazawa Yoshito(Renesas Electronics Corporation),Kanai Hideo(Renesas Electronics Corporation),Eguchi Satoshi(Renesas Electronics Corporation)

キーワード: スーパージャンクション|チャージバランス|電荷補償|トレンチフィル|superjunction|charge balance|charge compensation|trench-filling epitaxy

要約(日本語): トレンチフィル製法による600VクラスのスーパージャンクションMOSFETについて、解析モデル、数値計算、デバイス試作によって調査した結果を報告する。正確なチャージ制御の為、従来は系統立って議論されていなかったトレンチテーパーとpカラム不純物プロファイルの影響を考慮した。その結果、耐圧736V、規格化オン抵抗16.4 mΩ-cm2、ゲート・ドレイン間チャージ6nCの性能を実デバイスで達成した。

要約(英語): 600V-class superjunction MOSFETs fabricated by trench-filling process are investigated analytically, numerically and experimentally. The careful consideration on the effects of trench taper and p-column profile is given for accurate charge control. The breakdown voltage, specific on-resistance, and gate-to-drain charge of 736 V, 16.4 mΩ-cm2, and 6 nC, respectively, have been achieved for the fabricated SJ-MOSFET.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,142 Kバイト