ＤＩプロセスを用いたアナログスイッチＩＣ向け低オン抵抗小型ＭＯＳＦＥＴ

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD11073

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス研究会

発行日: 2011/10/28

タイトル(英語): New Low-Resistance and Compact MOSFETs for Analog Switch ICs with V-groove Dielectric Isolation

著者名: 原 賢志(日立製作所),坂野 順一(日立製作所),本多 啓伸(日立製作所),相沢 淳一(日立製作所),新井 大夏(日立製作所)

著者名(英語): Hara Kenji(Hitachi Ltd.),Sakano Junichi(Hitachi Ltd.),Honda Hironobu(Power Systems Company,Hitachi Ltd.),Aizawa Junichi(Power Systems Company,Hitachi Ltd.),Arai TaigaPower Systems Company (Power Systems Company,Hitachi Ltd.)

キーワード: ＤＩ|アナログスイッチＩＣ|ＭＯＳＦＥＴ|DI|analog switch IC|MOSFET

要約(日本語): 誘電体分離（ＤＩ）プロセスを用いた２２０ＶアナログスイッチＩＣ向け低オン抵抗小型ＭＯＳＦＥＴを開発した。出力段回路用ＭＯＳＦＥＴは、素子分離酸化膜を利用した凸型構造を素子内部に形成、耐圧を保持しつつドリフト抵抗を低減し高電流密度を得た。駆動回路用には、ＪＦＥＴ抵抗により飽和電流を抑制しゲート酸化膜下の電界を緩和する小型ＭＯＳＦＥＴを開発した。以上より、ＭＯＳＦＥＴサイズの４０％低減を実現した。

要約(英語): A low-resistance and compact MOSFET for analog switch ICs with Dielectric Isolation (DI) process technology is proposed. To obtain a high current density, we have developed new MOSFET with internal prominence, which reduce the drift resistance of devices with a high breakdown voltage. New N-ch and P-ch compact MOSFETs for level shifters have also been developed that can control saturation current with a low electric field under the gate region by using a junction field effect transistor structure for higher hot carrier reliability. The areas of these MOSFETs can be shrunk about 40% in 220-V devices.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 995 Kバイト