高温車載用ワイド耐圧SOI-BiCDMOS技術

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD11075

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス研究会

発行日: 2011/10/28

タイトル(英語): Wide-Voltage SOI-BiCDMOS Technology for High-Temperature Automotive Applications

著者名: 富田 英幹(トヨタ自動車),江口 博臣(トヨタ自動車),木島 慎弥(トヨタ自動車),本田 憲弘(トヨタ自動車),山田 哲也(トヨタ自動車),山脇 秀夫(トヨタ自動車),青木 宏文(トヨタ自動車),濱田 公守(トヨタ自動車)

著者名(英語): Tomita Hidemoto(TOYOTA MOTOR CORPORATION),Eguchi Hiroomi(TOYOTA MOTOR CORPORATION),Kijima Shinya(TOYOTA MOTOR CORPORATION),Honda Norihiro(TOYOTA MOTOR CORPORATION),Yamada Tetsuya(TOYOTA MOTOR CORPORATION),Yamawaki Hideo(TOYOTA MOTOR CORPORATION),Aoki Hirofumi(TOYOTA MOTOR CORPORATION),Hamada Kimimori(TOYOTA MOTOR CORPORATION)

キーワード: ＢｉＣＤＭＯＳ|ＬＤＭＯＳ|ＳＯＩウェーハ|トレンチ分離|車載用ＡＳＩＣ|高温|BiCDMOS|LDMOS|SOI wafer|Deep Trench Isolation|Automotive ASIC|High-Temperature

要約(日本語): 175℃までの高温動作が可能な、マルチ電源に対応した車載用SOI-BiCDMOSの開発をおこなった。本技術は、35V/60V/80V耐圧を持つNch & Pch LDMOS、35V Bipolar 、6V CMOSを1チップ上に集積する事を可能にした。特に、LDMOSのオン抵抗特性は、狭角化LOCOSを採用する事により、近年の他社技術に対して遜色ない特性を示しており、同時に、良好なSOAを達成した。

要約(英語): This paper describes a new wide-voltage SOI-BiCDMOS technology for high-temperature automotive applications. This is capable of integrating 35V, 60V and 80V Nch and Pch LDMOS, 35V BJT and 6V CMOS devices on a single chip. In particular, adopting a modified LOCOS, low Ron*A of the developed LDMOS is comparable to other recent devices. And they have excellent SOA up to 175 deg.C.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,143 Kバイト