キャリア・ライフタイム制御したIGBTの挙動と物理解析

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD11079

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス研究会

発行日: 2011/10/28

タイトル(英語): Physical Analysis for Carrier Lifetime Controlled IGBT Behavier

著者名: 湊 忠玄(三菱電機),田所 千広(メルコセミコンダクタエンジニアリング),金田 充(三菱電機),高野 和豊(メルコセミコンダクタエンジニアリング),楠 茂(三菱電機),八尋 淳二(メルコセミコンダクタエンジニアリング),幡手 一成(三菱電機)

著者名(英語): MINATO TADAHARU(MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION),TADOKORO CHIHIRO(MELCO SEMICONDUCTOR ENGINEERING CORPORATION),KANEDA MITSURU(MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION),TAKANO KAZUTOYO(MELCO SEMICONDUCTOR ENGINEERING CORPORATION),KUSUNOKI SHIGERU(MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION),YAHIRO JUNJI(MELCO SEMICONDUCTOR ENGINEERING CORPORATION),HATADE KAZUNARI(MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION)

キーワード: キャリアライフタイム|ＩＧＢＴ|ホトルミネッセンス|エネルギー準位|ＣＳＴＢＴ|高速スイッチング|carrier lifetime|IGBT|Photo Luminescence|energy level|CSTBT|high speed switching

要約(日本語): キャリア・ライフタイム(τ)制御したIGBTの電気特性の長期安定性の評価の一環として，PL(Photo Luminescence)法によりSiバンド内準位を調べ，素子への連続通電により，電気的特性に「方向性の異なる」変化が生じるのは，τ制御条件の違いにより，形成される準位が異なるからである事。また，この準位がSi結晶中の溶存酸素や炭素に起因する事を明らかにした。

要約(英語): We applied PL (Photo Luminescence) analysis to ensure the physical model for carrier lifetime controlled IGBT, whose characteristics is shifted by a DC current stress. One of the best solution for carrier lifetime control is the combination of heavy EB irradiation and high temperature thermal annealing.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,510 Kバイト