GaN増幅器の高効率・広帯域回路技術

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD12030

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス研究会

発行日: 2012/03/07

タイトル(英語): Circuit Design Technologies for High Efficiency Broadband GaN Amplifiers

著者名: 山中 宏治(三菱電機),桑田 英悟(三菱電機),大塚 浩志(三菱電機),中山 正敏(三菱電機),平野 嘉仁(三菱電機)

著者名(英語): Yamanaka Koji(Mitsubishi Electric Corporation),Kuwata Eigo(Mitsubishi Electric Corporation),Otsuka Hiroshi(Mitsubishi Electric Corporation),Nakayama Masatoshi(Mitsubishi Electric Corporation),Hirano Yoshihito(Mitsubishi Electric Corporation)

キーワード: ＧａＮ|増幅器|高効率|広帯域|GaN|Amplifier|High Efficiency|Broadband

要約(日本語): 「クラウド時代のユビキタス電子デバイス」として移動体端末基地局用高出力増幅器は最も重要なキーデバイスである．本稿では地局用高出力増幅器としてGaN増幅器が優れていることを材料物性の観点から説明する．またGaN増幅器を高効率動作，広帯域動作させるための回路技術について説明し，L帯350W増幅器，S帯330W増幅器，C帯7W増幅器，C-Ku帯20W GaN MMIC増幅器の実例を紹介する．

要約(英語): In this paper, Circuit technologies which are used in high efficiency and broadband GaN HEMT high power amplifiers are introduced. Finally, some examples of L-band 350W 65% PAE, S-band 330W 62% PAE, C-band 7W 70% PAE and C-Ku band GaN MMIC high power amplifier with 20W 15% PAE are shown.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 5,183 Kバイト