小型GaN p+nダイオードのオン抵抗低減機構に関する考察

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD12031

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス研究会

発行日: 2012/03/07

タイトル(英語): Mechanism of reduction in on-resistance of small GaN p+n diodes

著者名: 望月 和浩(日立製作所),寺野 昭久(日立製作所),三島 友義(日立電線),野本 一貴(法政大学),中村 徹(法政大学)

著者名(英語): Mochizuki Kazuhiro(Hitachi,Ltd.),Terano Akihisa(Hitachi,Ltd.),Mishima Tomoyoshi(Hitachi Cable,Ltd.),Nomoto Kazuki(Hosei University),Nakamura Tohru(Hosei University)

キーワード: ＧａＮ|ダイオード|オン抵抗|フォトン・リサイクリング|Ｍｇ|イオン化|gallium nitride|diode|on-resistance|photon recycling|magnesium|ionization

要約(日本語): 小型GaN p+nダイオードにおいて報告された低い特性オン抵抗RonAはダイオードの並列接続の可能性を示唆するものである。しかしながら，RonAの低減機構は未だ理解されていない。そこで，本研究では，小型GaN p+nダイオードにおけるRonA低減に対する光-熱遷移モデルを提案する。

要約(英語): Reported reduction of specific on-resistance RonA of small GaN p+n diodes suggests the possibility of paralleling diodes; however, the mechanism involved in RonA reduction is yet to be understood. Accordingly, in this study, an optical-thermo-transition model for the reduction in RonA in small GaN p+n diodes is proposed.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 909 Kバイト