低オン電圧動作GaN SBDへのCu2Oエッジ終端構造の適用

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD12033

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス研究会

発行日: 2012/03/07

タイトル(英語): Cu2O Edge-Termination for GaN Schottky Barrier Diodes with Low Turn-On Voltage

著者名: 美濃浦 優一(富士通研究所),岡本 直哉(富士通研究所),金村 雅仁(富士通研究所),今田 忠紘(富士通研究所),多木 俊裕(富士通研究所),今西 健治(富士通研究所),渡部 慶二(富士通研究所),常信 和清(富士通研究所),吉川 俊英(富士通研究所)

著者名(英語): Minoura Yuichi(Fujitsu Laboratories Ltd.),Okamoto Naoya(Fujitsu Laboratories Ltd.),Kanamura Masahito(Fujitsu Laboratories Ltd.),Imada Tadahiro(Fujitsu Laboratories Ltd.),Ohki Toshihiro(Fujitsu Laboratories Ltd.),Imanishi Kenji(Fujitsu Laboratories Ltd.),Watanabe Keiji(Fujitsu Laboratories Ltd.),Joshin Kazukiyo(Fujitsu Laboratories Ltd.),Kikkawa Toshihide(Fujitsu Laboratories Ltd.)

キーワード: ＧａＮ|ショットキーバリアダイオード|Ｃｕ２Ｏ|エッジ終端|逆方向耐圧|GaN|Schottky barrier diode|Cu2O|edge-termination|Breakdown voltage

要約(日本語): 低オン電圧動作GaNショットキーバリアダイオードにCu2Oエッジ終端構造を適用し、逆方向耐圧の向上を図った。

要約(英語): We propose Cu2O edge-termination for GaN-based Schottky barrier diodes (SBDs) with low turn-on voltage. The experimental results of current-voltage characteristics insisted that Cu2O edge-termination structure was effective to increase breakdown voltage of GaN SBDs.

原稿種別: 日本語

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