P型障壁制御層を有する低リーク電流ＧａＮマルチジャンクションダイオード

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD12034

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス研究会

発行日: 2012/03/07

タイトル(英語): GaN-based multi-junction diode with low reverse leakage current using p-type barrier controlling layer

著者名: 柴田 大輔(パナソニック),海原 一裕(パナソニック),村田 智洋(パナソニック),山田 康博(パナソニック),森田 竜夫(パナソニック),按田 義治(パナソニック),石田 昌宏(パナソニック),石田 秀俊(パナソニック),上田 哲三(パナソニック),田中 毅(パナソニック),上田 大助(パナソニック)

著者名(英語): Shibata Daisuke(Panasonic Corporation),Kaibara Kazuhiro(Panasonic Corporation),Murata Tomohiro(Panasonic Corporation),Yamada Yasuhiro(Panasonic Corporation),Morita Tatsuo(Panasonic Corporation),Anda Yoshiharu(Panasonic Corporation),Ishida Masahiro(Panasonic Corporation),Ishida Hidetoshi(Panasonic Corporation),Ueda Tetsuzo(Panasonic Corporation),Tanaka Tsuyoshi(Panasonic Corporation),Ueda Daisuke(Panasonic Corporation)

キーワード: ＧａＮ|ダイオード|低リーク電流|大電流|高効率|ＰＦＣ評価|GaN|diode|low leakage current|high forward current|high efficiency|power factor correction

要約(日本語): 我々は、低リーク電流を有し大電流化が実現可能なGaNダイオードを開発した。本ダイオードはAlGaN/GaNマルチジャンクションとアノード部にP型障壁制御層を有している。P型障壁制御層からの空乏層によってアノード側壁のポテンシャルを制御しリーク電流の起源であるトンネル電流を低減した。作製したP型障壁制御層を有するGaNダイオードは順方向電圧1.5V時に18Aを示し、耐圧は600Vを得た。

要約(英語): We present a novel GaN-based diode with low reverse leakage current. The diode consists of multi-junctions of AlGaN/GaN with a p-GaN overlayer. The leakage current can be reduced by controlling the potential barrier at the anode sidewall by means of the depletion layer from the p-GaN. The fabricated GaN diode exhibits high forward current of 18A at 1.5V with the breakdown voltages over 600V.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 4,038 Kバイト