GaN基板上高耐圧GaN pn接合ダイオード

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD12035

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス研究会

発行日: 2012/03/07

タイトル(英語): High Breakdown GaN p-n Junction Diode on Free-Standing GaN Substrstes

著者名: 畠山 義智(法政大学),野本 一貴(法政大学),金田 直樹(日立電線),河野 敏弘(日立電線),土屋 忠厳(日立電線),三島 友義(日立電線),中村 徹(法政大学)

著者名(英語): Hatakeyama Yoshitomo(HOSEI univ.),Nomoto Kazuki(HOSEI univ.),Kaneda Naoki(Hitachi Cable,Ltd.),Kawano Toshihiro(Hitachi Cable,Ltd.),Tsuchiya Tadayoshi(Hitachi Cable,Ltd.),Mishima Tomoyoshi(Hitachi Cable,Ltd.),Nakamura tohru(HOSEI univ.)

キーワード: 窒化ガリウム|パワー半導体デバイス|絶縁破壊電圧|ｐｎ接合|GaN|Power semiconductor devices|Breakdown Voltage|p-n junction

要約(日本語): 我々は低転位密度GaN基板上に面積の異なる pn接合ダイオードを作製し、どの程度の耐圧を実現し得るか検討した。フィールドプレート構造と低転位密度基板によってデバイスの直径によらず測定系の上限である1.1kVまで低いリーク電流を維持した。また、カーブトレーサによって2kVを印加しても、絶縁破壊に至らなかった。従って、本研究に用いた結晶の欠陥は耐圧に致命的なものではなく、大面積デバイスを実現し得ることを示した。

要約(英語): This report describes the fabrication and characteristicsof GaN p-n junction diodes on free-standing GaN substrates with low dislocation density. We have demonstrated GaN p-n junction diodes with a field-plate (FP) structure. The breakdown voltage VB is further improved due to the FP structure and the low dislocation density. The breakdown voltage of the diodes with the field-plate (FP) structure is over 2kV.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 2,833 Kバイト