Si基板上ノーマリオフAlGaN/GaNハイブリッドMOS-HFETの高耐圧化

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD12037

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス研究会

発行日: 2012/03/08

タイトル(英語): High-Vb normally-off GaN hybrid MOS-HFETs on Si substrates

著者名: 池田 成明(次世代パワーデバイス技術研究組合),田村 亮祐(次世代パワーデバイス技術研究組合),古川 拓也(次世代パワーデバイス技術研究組合),神林 宏(次世代パワーデバイス技術研究組合),佐藤 義浩(次世代パワーデバイス技術研究組合),野村 剛彦(次世代パワーデバイス技術研究組合),加藤 禎宏(次世代パワーデバイス技術研究組合)

著者名(英語): Ikeda Nariaki(Advanced Power Device Research Association),Tamura Ryosuke(Advanced Power Device Research Association),Kokawa Takuya(Advanced Power Device Research Association),Kambayashi Hiroshi(Advanced Power Device Research Association),Sato Yoshihiro(Advanced Power Device Research Association),Nomura Takehiko(Advanced Power Device Research Association),Kato Sadahiro(Advanced Power Device Research Association)

キーワード: ＧａＮ|ハイブリッドＭＯＳＨＦＥＴ|ノーマリオフ|高耐圧|低オン抵抗|Ｓｉ基板|GaN|hybrid MOS-HFET|normally-off|high Vb|lower on-resistance|Si substrate

要約(日本語): Si基板上にGaN系ノーマリオフデバイスとして、HFETのゲート形成領域のみ２DEGチャネルを除去し、そこにSiO2のゲート絶縁膜を配してMOS構造を作りこむ“ハイブリッドＭＯＳＨＦＥＴ”構造を検討してきた。今回、カーボンドープバッファ層と薄層チャネル構造を組み合わせることによって、良好なノーマリオフ特性を達成しながら、低オン抵抗でかつ耐圧１．７ｋＶ以上の性能を達成した。

要約(英語): We have successfully fabricated the state-of-the-art GaN based “hybrid MOS-HFET” device with a lower on-resistance and a higher breakdown voltage. Carbon doped GaN buffer layer and a thin channel layer have been enable to improve the Vb-RonA trade-off compared with previous reports.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 4,728 Kバイト