原子層成膜Al2O3をゲート絶縁膜とするAlGaN/GaN MOSHFETの作製

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD12038

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス研究会

発行日: 2012/03/08

タイトル(英語): AlGaN/GaN MOSHFETs with Al2O3 gate oxide deposited by atomic layer deposition

著者名: 宮崎 英志(名古屋大学),岸本 茂(名古屋大学),水谷 孝(名古屋大学)

著者名(英語): Miyazaki Eiji(Nagoya University),Kishimoto Shigeru(Nagoya University),Mizutani Takashi(Nagoya University)

キーワード: ＡｌＧａＮ／ＧａＮ　ＭＯＳＨＦＥＴ|ＡＬＤ|（ＮＨ４）２Ｓ|界面準位密度|ｇａｔｅ－ｆｉｒｓｔ|AlGaN/GaN MOSHFET|ALD|(NH4)2S|interface state density|gate-first

要約(日本語): Al2O3/AlGaN/GaN MOSHFETの界面特性改善のため、Al2O3成膜前の前処理として(NH4)2S (硫化アンモニウム)処理を検討した。(NH4)2S処理をMOSHFETに適用したところ、ID - VGS, gm- VGS特性におけるヒステリシス幅が減少し、大きなゲート電圧におけるドレイン電流 の上詰まりも緩和されていた。しかし、界面準位密度の低減には改善の余地が残った。そこで、さらなる界面準位密度の低減を図るべく、Al2O3をオーミックの合金化処理前に形成するgate-first processを検討した。

要約(英語): We performed the (NH4)2S surface treatments before Al2O3 deposition to improve the Al2O3/AlGaN interface quality in Al2O3/AlGaN/GaN MOSHFETs. The transconductance (gm) decrease at a large gate voltage was relaxed by the (NH4)2S treatments. However, there was room for improvement in decrease of interface states density. We have used the gate-first process in fabrication of the MOSHFETs for further improvement of the Al2O3/AlGaN interface quality.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 6,458 Kバイト