エピタキシャル成長ソースによるInGaAs MOSFET の高電流密度化

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD12039

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス研究会

発行日: 2012/03/08

タイトル(英語): High current density of InGaAs MOSFET by epitaxially grown source

著者名: 宮本 恭幸(東京工業大学),米内 義晴(東京工業大学),金澤 徹(東京工業大学)

著者名(英語): Miyamoto Yasuyuki(Tokyo Institute of Technology),Yonai Yoshiharu(Tokyo Institute of Technology),Kanazawa Toru(Tokyo Institute of Technology)

キーワード: ＩｎＧａＡｓ　ＭＯＳＦＥＴ|エピタキシャル成長による高濃度ドープソース|再成長ソース|高ドレイン電流|InGaAs MOSFET|Heavily doped source by epitaxial growth|regrown source|High drain current

要約(日本語): 将来のMOSFETにおいてITRSは電源電圧0.6Vで2A/mm を超える高い電流駆動能力が求めている。高移動度であるInGaAs MOSFET が期待されているが報告された最大ドレイン電流は 1A/mm 程度に留まっていた。ここでは50nmのチャネル長とエピタキシャル成長による高濃度ソースの組み合わせでドレイン電圧 0.5V で 2.4A/mm の 高電流密度を報告する。

要約(英語): ITRS requests drain current over 2A/mm at supplied voltage of 0.6 V in future MOSFET. To realize high drivability, high mobility of InGaAs MOSFET is promising. However, reported highest drain current was around 1 A/mm. In this talk, by combination of heavily doped source by epitaxial growth and 50-nm channel, Id = 2.4A/mm at Vd=0.5V was observed.

原稿種別: 日本語

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