Si基板上のIII-V族ナノワイヤ選択成長と縦型トランジスタ応用

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD12040

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス研究会

発行日: 2012/03/08

タイトル(英語): Integration of III-V nanowires on Si and surrounding-gate FET

著者名: 冨岡 克広(北海道大学,科学技術振興機構さきがけ),福井 孝志(北海道大学)

著者名(英語): Tomioka Katsuhiro(Hokkaido University and JST-PRESTO),Fukui Takashi(Hokkaido University)

キーワード: ＩＩＩ－Ｖ族化合物半導体|高速移動度チャネル材料|ナノワイヤ|縦型トランジスタ|有機金属気相成長法|選択成長法|III-V compound semiconductor|fast channel material|nanowire|surrounding-gate transistor|MOVPE|selective-area growth

要約(日本語): 22 nmノードから立体ゲート電界効果トランジスタ(Fin-gate Field-effect transistor: FinFET)が導入され始め、超々大規模集積回路(Ultralarge- Scale Integrated Circuits: ULSI)のさらなる高速化・低消費電力化へ向けた、代替チャネル材料・トランジスタ構造の開発とその集積技術の成熟が急務となっている。本報告では、MOVPE選択成長法によるシリコン基板上のIII-V族化合物半導体ナノワイヤ集積技術と縦型サラウンディングゲートトランジスタの作製について報告する。

要約(英語): We report on direct integration of vertical In0.7Ga0.3As nanowires without buffering technique, and demonstrate fabrication of InGaAs surrounding-gate transistors (SGTs) on Si. Furthermore, we investigate a passivation effect of the transistor characteristic using InGaAs/InP/InAlAs/InGaAs core-multishell structure, and show enhancement of transconductance and ION/IOFF ratio of the InGaAs NW-SGT.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 5,983 Kバイト