MOCVD成長CドープInGaAsSbベース低ターン・オン電圧動作ヘテロ接合バイポーラトランジスタ

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD12041

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス研究会

発行日: 2012/03/08

タイトル(英語): Low-Turn-on-Voltage DHBTs with a C-doped InGaAsSb Base Grown by MOCVD

著者名: 星 拓也(日本電信電話),杉山 弘樹(日本電信電話),横山 春喜(日本電信電話),栗島 賢二(日本電信電話),井田 実(日本電信電話)

著者名(英語): Hoshi Takuya(NTT Corporation),Sugiyama Hiroki(NTT Corporation),Yokoyama Haruki(NTT Corporation),Kurishima Kenji(NTT Corporation),Ida Minoru(NTT Corporation)

キーワード: インジウムガリウムヒ素アンチモン|ヘテロ接合バイポーラトランジスタ|有機金属化学気相堆積|低ターン・オン電圧|炭素ドープ|InGaAsSb|HBT|MOCVD|Low turn-on voltage|C-doped

要約(日本語): 通信容量増大に伴うICの低消費電力化が求められており、低電圧動作が見込める狭EgのInGaAsSbベースHBTが期待されている。我々はCドープInGaAsSbのMOCVD成長を行い、高正孔濃度p型伝導を薄膜を得た。またPLにより狭Eg化を確認した。これらの技術を基に、実際にHBTを作製し、低ターンオン電圧動作化を確認した。とくにターンオン電圧と光学特性が、In組成に強く依存していることを見出した。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 4,622 Kバイト