トレンチ底部が厚い酸化膜で形成された4H-SiCトレンチMOSFET

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD12042,SPC12115

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス/【D】産業応用部門 半導体電力変換合同研究会

発行日: 2012/10/25

タイトル(英語): 4H-SiC Trench MOSFET with Thick Bottom Oxide

著者名: 高谷 秀史(トヨタ自動車),森本 淳(トヨタ自動車),山本 敏雅(デンソー),榊原 純(デンソー),渡辺 行彦(豊田中央研究所),副島 成雅(豊田中央研究所),濱田 公守(トヨタ自動車)

著者名(英語): hidefumi takaya(Toyota motor corporation),Jun Morimoto(Toyota motor corporation),Toshimasa Yamamoto(DENSO CORPORATION ),Jun Sakakibara(DENSO CORPORATION ),Yukihiko Watanabe(Toyota Central R&D Labs., Inc. ),Narumasa Soejima(Toyota Central R&D Labs., Inc. ),Kimimori Hamada (Toyota motor corporation)

キーワード: ＳｉＣ|トレンチＭＯＳＦＥＴ|トレンチ底部厚い酸化膜|ＤＳ耐圧|オン抵抗|ゲートドレイン電荷|SiC|trench MOSFET|thick bottom oxide|breakdown voltage|on-resistance|gate-drain charge

要約(日本語): トレンチ底部が厚い酸化膜で形成された4H-SiCMOSFETを開発した。トレンチ底部の厚い酸化膜により、コンベンショナルトレンチMOSFETと比較して、ゲート酸化膜に加わる電界強度を_x000D_ 46%低減し、ゲート-ドレイン電荷(Qgd )を38%低減した。このトレンチ底厚酸化膜構造により、ドレイン-ソース耐圧： 1400V、規格化オン抵抗： 4.4mΩcm2 (Vg= 20V ,Vd= 2V)を得た。

要約(英語): A 4H-SiC trench MOSFET has been developed that features trench gates with a thick oxide layer on the bottoms of the trenches. The maximum electric field strength and gate-drain charge of this device are 46% and 38%, respectively lower than that of a conventional MOSFET. The drain-source breakdown voltage is 1400V and the specific_x000D_ on-resistance is 4.4mΩcm2 at Vg=20V and Vd= 2V._x000D_

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,848 Kバイト