高耐圧GaN-HEMTのスイッチング制御性

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD12043,SPC12116

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス/【D】産業応用部門 半導体電力変換合同研究会

発行日: 2012/10/25

タイトル(英語): Switching Controllability of High Voltage GaN-HEMTs

著者名: 齋藤 渉(東芝),齋藤 泰伸(東芝),藤本 英俊(東芝),吉岡 啓(東芝),大野 哲也(東芝),仲 敏行(東芝),杉山 亨(東芝)

著者名(英語): Wataru Saito(Toshiba Corp.),Yasunobu Saito(Toshiba Corp.),Hidetoshi Fujimoto(Toshiba Corp.),Akira Yoshioka(Toshiba Corp.),Tetsuya Ohno(Toshiba Corp.),Toshiyuki Naka(Toshiba Corp.),Toru Sugiyama(Toshiba Corp,)

キーワード: ＧａＮ－ＨＥＭＴ|高耐圧|パワーデバイス|スイッチング|GaN-HEMT|High-Voltage|Power Device|Switching

要約(日本語): 高耐圧GaN-HEMTのスイッチング制御性と帰還容量との関係を調べた。Si-MOSFETと同様に外部ゲート抵抗によりスイッチング速度を変調することが可能であり、帰還容量の充放電によりスイッチング動作が決まっている。基板接続箇所を変更し、帰還容量を増加させることでスイッチング制御性を改善することがきる。

要約(英語): The switching behavior of the GaN-HEMT can be controlled by the external gate resistance as the same manner as the conventional Si-MOSFETs. The switching controllability was improved by the substrate connection due to the parasitic capacitance change.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 792 Kバイト