高温・高周波駆動を実現するパッケージ技術を適用したAll-SiCモジュールの開発

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD12044,SPC12117

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス/【D】産業応用部門 半導体電力変換合同研究会

発行日: 2012/10/25

タイトル(英語): All-SiC Power Module with Advanced Packaging Technologies for High Temperature and Frequency Operation

著者名: 中村 瑶子(富士電機),堀尾 真史(富士電機),梨子田 典弘(富士電機),池田 良成(富士電機)

著者名(英語): Yoko Nakamura(Fuji Electric Co., Ltd.),Masafumi Horio(Fuji Electric Co., Ltd.),Norihiro Nashida(Fuji Electric Co., Ltd.),Yoshinari Ikeda(Fuji Electric Co., Ltd.)

キーワード: パワー半導体|パッケージ技術|高温動作|高耐熱樹脂|低インダクタンス|ＳｉＣモジュール|Power Module|Packaging Technology|High Temperature Withstanding|Epoxy Resin|Low Internal Inductance Design|SiC Module

要約(日本語): 次世代パワー半導体であるSiCデバイスの優れた特性を引出すモジュールパッケージ技術を開発した。開発パッケージの要素技術として、高温動作を実現する高耐熱樹脂を適用し、高温動作信頼性試験を実施した。またスイッチング損失低減のため、配線の低インダクタンス設計を行った。これらを適用したAll-SiCモジュールを試作し、Si-IGBTモジュールと損失比較した結果、大幅なスイッチング損失低減を実現した。

要約(英語): Power module packaging technology was developed for taking advantages of SiC devices. Reliability tests under high temperature were carried out with applying high temperature withstanding epoxy resin. Also, low internal inductance design of module structure was applied. Significant reduction of switching loss of All-SiC module applied with these advanced packaging technologies was achieved compared to Si-IGBT module.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,057 Kバイト