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4.5kV-400A Si-IEGT+SiC-PiNダイオードハイブリッドペアモジュールによる高電圧大電力変換器の4kHzスイッチング動作の実証

4.5kV-400A Si-IEGT+SiC-PiNダイオードハイブリッドペアモジュールによる高電圧大電力変換器の4kHzスイッチング動作の実証

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カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD12045,SPC12118

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス/【D】産業応用部門 半導体電力変換合同研究会

発行日: 2012/10/25

タイトル(英語): 4kHz switching operation of a medium-voltage high power converter with 4.5kV-400A Si-IEGT+SiC-PiN diode hybrid pair modules

著者名: 高尾 和人(東芝),太田 千春(東芝),四戸 孝(東芝),和田 圭二(首都大学東京),成 慶珉(茨城高専),松岡 祐司(東芝三菱電機産業システム),金井 丈雄(東芝三菱電機産業システム),田中 保宣(産業技術総合研究所),西澤 伸一(産業技術総合研究所),大橋 弘通(産業技術総合研究所)

著者名(英語): Kazuto Takao(Toshiba corporation),Chiharu Ota(Toshiba corporation),Takashi Shinohe(Toshiba corporation),Keiji Wada(Tokyo Metropolitan University),Kyungmin Sung(Ibaraki National College of Technology),Yuji Matsuoka(TMEIC),Takeo Kanai(TMEIC),Yasunori Tanaka(AIST),Shinichi Nishizawa(AIST),Hiromichi Ohashi(AIST)

要約(日本語): 高電圧大電力変換器の多重トランスレス化とLCフィルタの小型化を実現するため、耐圧4.5kVのSi-IEGT+SiC-PiNダイオードの適用によるスイッチング周波数の高周波化を検討した。本研究では、4.5kV-400A Si-IEGT+SiC-PiNダイオードハイブリッドペアモジュールを適用した1MVA級のインバータを試作し、スイッチング周波数4kHzでの動作を実証した。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 942 Kバイト

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