統合シミュレーションを用いた1.2 kV-300 A SiCモジュールの開発

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD12046,SPC12119

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス/【D】産業応用部門 半導体電力変換合同研究会

発行日: 2012/10/25

タイトル(英語): Development of a 1.2kV-300A SiC module with an integrated simulation

著者名: 菊地 拓雄(東芝),高尾 和人(東芝),四戸 孝(東芝)

著者名(英語): Takuo Kikuchi(Toshiba corporation),Kazuto Takao(Toshiba corporation),Takashi Takashi(Toshiba corporation)

要約(日本語): 1.2kV-300A級SiCモジュールの試作と動作特性評価を行った。SiCモジュールは2in1タイプであり、1アームあたり、3.18 x 3.18 mm2のSiC-JFETチップを14並列接続で構成される。デバイス-回路-熱の統合シミュレーションにより、モジュール内部配線の寄生インダクタンス、寄生抵抗に起因した並列デバイスチップ間の動作不均一について解析し、動作均一化を実現する配線構造について検討した。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,574 Kバイト