高電圧ICプロセスにおける中空を有するトレンチ分離の効用

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD12047,SPC12120

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス/【D】産業応用部門 半導体電力変換合同研究会

発行日: 2012/10/25

タイトル(英語): Evolution of trench isolation with air-gap in high voltage IC process

著者名: 大西 一真(ルネサスセミコンダクタエンジニアリング),大津 良孝(ルネサスセミコンダクタエンジニアリング),宮島 貴司(ルネサスセミコンダクタエンジニアリング),森井 勝巳(ルネサスセミコンダクタエンジニアリング),新田 哲也(ルネサスエレクトロニクス),吉久 康樹(ルネサスエレクトロニクス),城本 竜也(ルネサスエレクトロニクス),古谷 啓一(ルネサスセミコンダクタエンジニアリング),畑迫 健一(ルネサスエレクトロニクス),一法師 隆志(ルネサスエレクトロニクス),清水 雅裕(ルネサスセミコンダクタエンジニアリング)

著者名(英語): Kazuma Onishi(Renesas Semiconductor Engineering Corporation),Yoshitaka Otsu(Renesas Semiconductor Engineering Corporation),Takashi Miyajima(Renesas Semiconductor Engineering Corporation),Katsumi Morii(Renesas Semiconductor Engineering Corporation),Tetsuya Nitta(Renesas Electronics Corporation),Yasuki Yoshihisa(Renesas Electronics Corporation),Tatsuya Shiromoto(Renesas Electronics Corporation),Keiichi Furuya(Renesas Semiconductor Engineering Corporation),Kenichi Hatasako(Renesas Electronics Corporation),Takashi Ipposhi(Renesas Electronics Corporation),Masahiro Shimizu(Renesas Semiconductor Engineering Corporation)

要約(日本語): 中空を有するトレンチ分離を高耐圧ICプロセスで使用する事による効用を報告する。分離内部を中空として比誘電率を低減する事で分離耐圧が向上し、分離幅に対する依存性が抑制できる。また、酸化膜で埋め込む分離では結晶欠陥が発生するが、分離内部を中空とする事で低減できる。応力を緩和したためと考えており、拡散抵抗素子の抵抗値の分離からの距離依存性も改善できる。更に、素子分離として十分な信頼性を有することも確認した。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 910 Kバイト