GaN FETを用いたPFCコンバータの高効率化の検討

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD12051,SPC12124

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス/【D】産業応用部門 半導体電力変換合同研究会

発行日: 2012/10/25

タイトル(英語): High Efficiency PFC Converter using GaN FET

著者名: 金崎 正樹(長岡技術科学大学),芳賀 仁(長岡技術科学大学),近藤 正示(長岡技術科学大学)

著者名(英語): masaki kanesaki(Nagaoka University of Technology),hitoshi haga(Nagaoka University of Technology),seiji kondo(Nagaoka University of Technology)

キーワード: ＧａＮ　ＦＥＴ|同期整流|高効率|GaN FET|Synchronous rectification|High efficiency

要約(日本語): 近年，パワーエレクトロニクス回路の高パワー密度化の要求が高まっている。そのためには，損失の低減及び冷却器や受動素子の小型化が必要不可欠であるが，これはパワーデバイスの性能に大きく依存する。そこで，シリコン(Si)の性能を超える半導体材料として窒化ガリウム(GaN)が注目を浴び，研究・開発が進められている。本稿ではGaNを用いたパワーデバイスGaN FETをPFCコンバータに実装し，同期整流による高効率化の検討をしたので報告する。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,000 Kバイト