誤点弧のメカニズムに関する一考察

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD12056,SPC12129

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス/【D】産業応用部門 半導体電力変換合同研究会

発行日: 2012/10/25

タイトル(英語): Investigation of False Turn-on Mechanism

著者名: 西垣 彰紘(島根大学),梅上 大勝(島根大学),服部 文哉(島根大学),山本 真義(島根大学)

著者名(英語): Akihiro Nishigaki(Shimane university),Hirokatsu Umegami(Shimane university),Fumiya Hattori(Shimane university),Masayoshi Yamamoto(Shimane university)

キーワード: パワーデバイス|高周波|電位変動|誤点弧|Power device|High frequency|Voltage oscillation|False turn-on

要約(日本語): 近年，電力変換機器の小型化・高密度化が求められている。そこで，高耐圧・高速スイッチングで低損失な動作をするGaNなどの次世代パワーデバイスが注目されている。しかし，次世代パワーデバイスは閾値電圧が低いためシリコンデバイスに比べて誤点弧・誤消弧する可能性が高くなる。そこで，パワーデバイスの端子部分に寄生するインダクタンスによる電位変動に焦点を当てた。その結果，誤点弧の発生には2通りあることが判明した。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,245 Kバイト