高速スイッチング回路を対象にしたラミネートバスバーの共振解析

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD12057,SPC12130

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス/【D】産業応用部門 半導体電力変換合同研究会

発行日: 2012/10/25

タイトル(英語): Resonance Analysis for DC-Side Laminated Bus-Bar of a High Speed Switching Circuit

著者名: 日野 晃裕(首都大学東京),和田 圭二(首都大学東京)

著者名(英語): Akihiro Hino(Tokyo Metropolitan University),Keiji Wada(Tokyo Metropolitan University)

キーワード: ラミネートバスバー|インダクタンス|Laminated BusBar|Inductance

要約(日本語): 近年, SiCなどの次世代パワー半導体の研究開発が盛んに行われており, 電力変換回路の高速スイッチング化や高電圧化が急速に実現されつつある。本稿では文献で提案されている方式の高速化を目的とし, ラミネート構造の対称性を利用したバスバー配線インダクタンスの高速解析手法と特定インダクタンス探索手法について提案する。電圧変化率dv/dt=50 kV/μs, 電流変化率di/dt=3 kA/μs の高速スイッチング時に共振現象を引き起こす浮遊キャパシタンスを考慮に入れた提案手法の妥当性を確認するために, SiC-MOSFETとSiC-SBDを用いて, 入力電圧500 V, 出力電流75 A の降圧チョッパ回路を製作し, 実験によりバスバー設計手法の有用性を明らかにする。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,131 Kバイト