ノーマリーオン型GaN HEMTとノーマリーオフ型Si MOSFET＋GaN HEMTカスコードデバイスのスイッチング特性評価

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD12059,SPC12132

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス/【D】産業応用部門 半導体電力変換合同研究会

発行日: 2012/10/25

タイトル(英語): Evaluation on switching characteristics of GaN HEMT and Si MOSFET + GaN HEMT cascode device

著者名: 舟木 剛(大阪大学),池村 和哉(大阪大学)

著者名(英語): Tsuyoshi Funaki(Osaka university),Kazuya Ikemura(Osaka university)

キーワード: ＧａＮ　ＨＥＭＴ|カスコード|スイッチング時間|スイッチング損失|ノーマリーオン|ミラー効果|GaN HEMT|cascode|switching time|switching loss|normally-on|Miller effect

要約(日本語): 高耐圧のノーマリーオン型GaN HEMTおよび，これと低耐圧ノーマリーオフ型Si MOSFETを組み合わせる事によってノーマリーオフ動作となるSi MOSFET + GaN HEMTカスコードデバイスについて静特性，スイッチング特性を測定し，その比較を行った。Si MOSFET + GaN HEMTカスコードデバイスは，単体のGaN HEMTに比べて高速かつ損失が小さい結果が得られた。本研究ではさらに簡易小信号等価回路を元にした実験結果の考察について報告する。

要約(英語): The static and dynamic characteristics of cascode device, which consist of normally-on high-voltage GaN HEMT and normally-off low-voltage Si MOSFET, is studied in this paper. We compared the switching characteristics of GaN HEMT and Si MOSFET+GaN HEMT cascode device, and discussed the experimental results based on a simplified small-signal equivalent circuit.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 2,284 Kバイト