SiCショットキーバリアダイオードの等価回路モデルに関する実験的考察

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD12060,SPC12133

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス/【D】産業応用部門 半導体電力変換合同研究会

発行日: 2012/10/25

タイトル(英語): An experimental study on compact equivalent circuit modeling of SiC Schottky Barrier diodes

著者名: 平野 真希子(大阪大学),舟木 剛(大阪大学)

著者名(英語): Makiko Hirano(Osaka university),Tsuyoshi Funaki(Osaka university)

要約(日本語): 本研究ではSiCショットキーバリアダイオードのターンオフ動作における振る舞いを模擬することのできる等価回路モデルを構築する。_x000D_ 　仕様の異なるSiCショットキーバリアダイオードのモデルパラメータを順方向電流電圧特性と逆方向容量電圧特性から抽出する。ターンオフ動作における端子電圧・電流の振る舞いが静特性を表す等価回路で構成される簡単なモデルによって模擬できることを実験的に評価する。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 3,158 Kバイト