ダイヤモンド薄膜を絶縁膜として用いた パワーSoC用SOI基板のシミュレーションによる検討

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD12061,SPC12134

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス/【D】産業応用部門 半導体電力変換合同研究会

発行日: 2012/10/25

タイトル(英語): Numerical Predictions of a Novel SOI Substrate for Power Supply on Chip Applications Using Thin Diamond Film as an Insulator

著者名: 児玉 拓也(九州工業大学),松本 聡(九州工業大学),西澤 伸一(産業技術総合研究所)

著者名(英語): Kodama Takuya( Kyushu Institute of Technology),Mastumoto Satoshi( Kyushu Institute of Technology),Nishizawa Shinichi(National Institute of Advanced Industrial Science and Technology)

キーワード: 小型化|パワーＳｏＣ|高速のスイッチング動作|ＳＯＩ構造|放熱特性|ダイヤモンド|power-SoC|SOI technology|thin-diamond film| insulator|thermal conductivity|SiO2

要約(日本語): 電源の究極の小型化であるパワーSoCが近年注目を集めてきている。パワーSoCでは、多種多様の素子を搭載することや高速のスイッチング動作が必要なことからSOI構造が有望視されている。SOI構造で用いる酸化膜は放熱効率悪く、素子破壊を引き起こす問題が生じる。本報告では、絶縁性と放熱特性に優れたダイヤモンド薄膜を絶縁膜として用いた基板の放熱効果についてシミュレーションを用いて検討した結果について報告する。

要約(英語): A SOI technology is one of the promising candidates for realizing power-SoC. However, the SOI technology has a problem of self-heating because of poor thermal conductivity of SiO2. This paper proposes the new SOI structure with thin-diamond film, which is used as an insulator, having good thermal conductivity.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 788 Kバイト