自動車電装用UMOSパワーＩＣの高いドレイン電圧での熱暴走抑制

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD12067,SPC12140

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス/【D】産業応用部門 半導体電力変換合同研究会

発行日: 2012/10/25

タイトル(英語): Inhibition of thermal runaway at high drain voltage in a trench power IC for automotive applications

著者名: 加藤 浩朗(ルネサスエレクトロニクス),工藤 弘儀(ルネサスエレクトロニクス),福井 勇貴(ルネサスエレクトロニクス),打矢 聡(ルネサスエレクトロニクス)

著者名(英語): Hiroaki Katou(Renesas Electronics Corporation),hiroyoshi kudou(Renesas Electronics Corporation),yuki fukui(Renesas Electronics Corporation),satoshi uchiya(Renesas Electronics Corporation)

キーワード: 熱暴走|トレンチＭＯＳＦＥＴ|パワーＩＣ|thermal runaway|trench MOSFET|power IC

要約(日本語): 自動車電装用途のパワーＩＣでは広いＳＯＡの確保が求められている。特にドレイン電圧が高く、ゲート電圧が比較的低い飽和領域で２次降伏の抑制が課題となっている。今回、トレンチＭＯＳ混載のパワーＩＣにおいてＰベース，レイアウト構造の最適設計を実施した。この設計により高いドレイン電圧での熱暴走が抑制され、かつ規格化オン抵抗の上昇を軽減することが可能となった。

要約(英語): In development of a trench power IC for automotive applications wide range of safe operating area(SOA) is demanded. Especially,It is necessary to inhibit thermal runaway in the saturation region of high drain voltage and low gate voltage. We carried out the most suitable design of the Pbase profile and the layout structure.The thermal runaway with the high drain voltage was inhibited by this design and we were able to maintain low on-resistance.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 855 Kバイト