縦型Resurf構造を用いた超低オン抵抗 18V耐圧 NチャネルUMOSFET

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD12068,SPC12141

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス/【D】産業応用部門 半導体電力変換合同研究会

発行日: 2012/10/25

タイトル(英語): An 18V N-channel UMOSFET with Super Low On-resistance by using Vertical Resurf Structure

著者名: 小林 研也(ルネサスエレクトロニクス),山口 拓也(ルネサスエレクトロニクス),徳田 悟(ルネサスエレクトロニクス),坪井 眞三(ルネサスエレクトロニクス),二宮 仁(ルネサスエレクトロニクス)

著者名(英語): Kenya Kobayashi(Renesas Electronics Corporation),Takuya Yamaguchi(Renesas Electronics Corporation),Satoru Tokuda(Renesas Electronics Corporation),Shinzo Tsuboi(Renesas Electronics Corporation),Hitoshi Ninomiya(Renesas Electronics Corporation)

キーワード: ＵＭＯＳＦＥＴ|トレンチＭＯＳＦＥＴ|ＲＥＳＵＲＦ|オン抵抗|ドリフト抵抗|Ｓｉリミット|UMOSFET|Trench MOSFET|Resurf|on-resistanse|drift resistance|Si-limit

要約(日本語): 比較的低耐圧(<100V)のトレンチ型パワーMOSFET(UMOSFET)の性能向上に有効な縦型RESURF構造を、18Vの低耐圧UMOSFETに初めて適用。オン抵抗(Ron)の主要成分の一つであるドリフト抵抗(Rd)を低減し、このクラスとして最高の2.1mΩ*mm^2の超低Ronを実現した。さらに、基板抵抗(Rsub)を低減することで、Siリミットに漸近する1.3mΩ*mm^2の超低Ron実現性を示した。

要約(英語): In relatively low-voltage rated (<100V) trench power MOSFETs (UMOSFETs), a vertical Resurf structure is effective to improve the device performance. We applied the structure to an 18V UMOSFET for the first time. In the UMOSFET, the drift resistance, which was one of the dominant on-resistance (Ron) components, was decreased. Therefore the best-in-class super low Ron of 2.1m-ohm*mm^2 was achieved. Furthermore, by reducing the substrate resistance, the feasibility of the super low Ron of 1.3m-ohm*mm^2 was shown asymptotic to the Si-limit.

原稿種別: 日本語

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