非対称pin+ダイオードの意義 -シリコンIGBT限界に関する考察-

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD12071,SPC12144

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス/【D】産業応用部門 半導体電力変換合同研究会

発行日: 2012/10/25

タイトル(英語): The Significance of Asymmetrical pin+ diodes -A Consideration on the Silicon IGBT Limit-

著者名: 高田 育紀(東京工業大学)

著者名(英語): Ikunori Takata(Tokyo Institute of Technology)

キーワード: 　ＩＧＢＴ|限界構造|ｐｉｎ＋ダイオード|igbt|ultimate structure|pin+ diode

要約(日本語): 中川が2006年に提起したIGBTの究極構造は"MOSFET+非対称pin+ダイオード"に帰着する。しかしながら、非対称pin+ダイオードの大電流動作は、トランスパレント形のpinダイオードとよく似ている。このため、IGBTの究極構造は、簡単に"MOSFET+pinダイオード"であると考えることが出来よう。_x000D_ さらに、先進のIGBTで認められるエミッタ側の電荷担体密度がコレクタ側よりも高くなる"IE効果"は、pin+ダイオードの単なる一特性であると見なすことが出来よう。

要約(英語): The concept of the ultimate structure of IGBTs which was proposed by Nakagawa in 2006 is reduced to the "MOSFET + an asymmetrical pin+ diode". However, the large current operations of the asymmetrical pin+ diode and the transparent pin diode are very resemble. So, the ultimate IGBT would simply be considered as the "MOSFET + pin diode". _x000D_ Besides, the "IE effect, the phenomena that carriers concentration near the emitter is higher than the collector side in progressed IGBTs, might merely be recognized as a characteristic of pin+ diodes.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 897 Kバイト