RFC diodeのキャリアプラズマ形成動作メカニズムと600～1700 Vクラスでの有効性実証

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD12072,SPC12145

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス/【D】産業応用部門 半導体電力変換合同研究会

発行日: 2012/10/25

タイトル(英語): Impact of RFC Technology toward 600 V Fast Recovery Diode and Charge Carrier Plasma Shaping Mechanism

著者名: 増岡 史仁(三菱電機(株)パワーデバイス製作所),中村 勝光(三菱電機(株)パワーデバイス製作所),西井 昭人(三菱電機(株)パワーデバイス製作所),寺島 知秀(三菱電機(株)パワーデバイス製作所)

著者名(英語): Fumihito Masuoka(Power Device Works, Mitsubishi Electric Corporation),Katsumi Nakamura(Power Device Works, Mitsubishi Electric Corporation),Akito Nishii(Power Device Works, Mitsubishi Electric Corporation),Tomohide Terashima(Power Device Works, Mitsubishi Electric Corporation)

キーワード: ダイオード|リカバリー|スナップオフ|発振|ＲＦＣ|安全動作領域|Diode|Recovery|snap-off|Oscillation|RFC|SOA

要約(日本語): 本報告では，pin diodeのリカバリー波形後半で観測される電圧発振のトリガーがsnap-off現象であることを明らかにし，対策手法として新規diode構造を提案する。600～1700VクラスのRFC diodeは，Vf-Erec特性の高速側実現，電圧発振抑制，トータルロス低減，高電圧側へのリカバリーSOA拡張，出力特性の低クロスポイント化等，diodeの主要特性を大きく改善できることを実測で示す。

要約(英語): From the numerical simulation analysis, the recovery process of the diodes is assigned to be three phases: snap-off point, high frequency period and low frequency period. Each phase is characterized by the behavior of carrier plasma in the neutral region. Based upon this analysis, we succeeded to optimize the tradeoff relationship between total loss and dynamic ruggedness of our RFC diode, not only in the high voltage region 3300 V but also in the mid-low voltage region 600 V.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,312 Kバイト