4.5kVマルチチップレベルシフト回路内蔵高出力IGBT駆動用ドライバ回路

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD12073,SPC12146

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス/【D】産業応用部門 半導体電力変換合同研究会

発行日: 2012/10/25

タイトル(英語): Driver Circuit for Driving High Power IGBTs with 4.5kV Multi-chip Level-shift Circuit

著者名: 櫻井 直樹(日立製作所),高見 和久(日立製作所),行武 正剛(日立製作所),河野 恭彦(日立製作所),坂野 順一(日立製作所)

著者名(英語): Sakurai Naoki(Hitachi Ltd.),Takami Kazuhisa(Hitachi Ltd.),Yukutake Seigo(Hitachi Ltd.),Kono Yasuhiko(Hitachi Ltd.),Sakano Junichi(Hitachi Ltd.)

キーワード: ＩＧＢＴ|ドライバ|レベルシフト回路|高耐圧|マルチチップ|IGBT|Driver |level-shift circuit|High blocking capability|multi-chip

要約(日本語): マルチチップ構成により、上下アームＩＣ間の通信を、耐圧4.5kVのIGBTを使ったレベルシフト回路により行う高出力IGBT向けドライバ回路を検討した。レベルシフト回路のスイッチング素子として、飽和電流を抑制した専用のIGBTチップを試作し、さらに、上下アーム間のdV/dt誤動作を防止する回路を組み込んだドライバICチップとの組み合わせにより、3.3kV/1200A　IGBTモジュールの駆動を実験により確認した。

要約(英語): A 4.5kV voltage level-shift circuit with a multi-chip structure composed of upper and lower arm driver ICs and dedicated discrete IGBTs was developed. It was experimentally confirmed that this level-shift circuit could drive a 3.3-kV/1200-A IGBT module.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 951 Kバイト