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UIS試験中のIGBTの電流分布解析

UIS試験中のIGBTの電流分布解析

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カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD12074,SPC12147

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス/【D】産業応用部門 半導体電力変換合同研究会

発行日: 2012/10/25

タイトル(英語): Analysis of current distribution on IGBT under unclamped inductive switching conditions

著者名: 岩橋 洋平(トヨタ自動車),水野 義人(トヨタ自動車),石垣 将紀(豊田中央研究所)

著者名(英語): Yohei Iwahashi(Toyota Motor Corporation),Yoshihito Mizuno(Toyota Motor Corporation),Masanori Ishigaki(Toyota Central R&D Lab., Inc.)

キーワード: IGBT|UIS試験|アバランシェ|カレントフィラメント|電流分布|IGBT|UIS test|avalanche|current filament|current distribution

要約(日本語): 我々はIGBTの面内9点の電流を個別に測定できる実験装置を用いて、UIS時にカレンドフィラメントがエミッタパッド間を移動する様子の測定に成功した。そのフィラメント移動速度はコレクタ電流が高いほど移動速度が速くなり、およそ150~400 μm/μsであることが分かった。また、従来報告されているフィラメントの移動とは異なる、離れたパッド間で電流が跳ぶ(ホッピング)現象があることを実験とシミュレーションにより示した。

要約(英語): The current filament movement within and between emitter pads of an IGBT under unclamped inductive switching conditions was measured. This measurement was achieved by using a test setup capable of measuring the emitter current distributions in nine independent points over the active area of the IGBT. The measured filament speed into the pads was between the range of 150?400 μm/μs, and the filament speed increases by increasing the collector current. Moreover, current hopping phenomenon was observed between non-neighbouring emitter pads as well.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 716 Kバイト

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