低注入ＰエミッタＩＧＢＴにおけるテール電流の解析

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD12075,SPC12148

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス/【D】産業応用部門 半導体電力変換合同研究会

発行日: 2012/10/25

タイトル(英語): Analysis for Rapid Tail Current Decay in IGBTs with Low Dose p-Emitter

著者名: 小林 勇介(富士電機),中川 明夫(中川コンサルティング事務所),武井 学(富士電機),大西 泰彦(富士電機),藤島 直人(富士電機)

著者名(英語): Yusuke Kobayashi(Fuji Electric Co., Ltd.),Akio Nakagawa(Nakagawa Consulting Office, LLC.),Manabu Takei(Fuji Electric Co., Ltd.),Yasuhiko Onishi(Fuji Electric Co., Ltd.),Naoto Fujishima(Fuji Electric Co., Ltd.)

キーワード: ＩＧＢＴ|ターンオフ|テールカレント|Ｐエミッタ|フォールタイム|コレクタドーズ|IGBT|turn-off|tail current|p-emitter|fall-time|collector dose

要約(日本語): 低注入PエミッタIGBTはフォール時間中に急峻にテール電流が切れることが知られている。本論文ではシミュレーションにより本現象を解析し、そのメカニズムを明らかにした。テール電流が急峻に切れるのは、フォール時間中にPエミッタ近傍のキャリア濃度が大きく減ることでドリフト層からコレクタ電極方向に大きな拡散電流が流れ、蓄積ホールがコレクタ電極とエミッタ電極の両方から抜けることに起因している。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,215 Kバイト