マルチレベル電力変換器用1700V 逆阻止IGBT

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD12076,SPC12149

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス/【D】産業応用部門 半導体電力変換合同研究会

発行日: 2012/10/25

タイトル(英語): 1700V Reverse-Blocking IGBTs for Multi-level Power Converters

著者名: 魯 鴻飛(富士電機),荻野 正明(富士電機),中澤 治雄(富士電機),高橋 良和(富士電機)

著者名(英語): David Hongfei Lu(Fuji Electric Co. Ltd.,),Masaaki Ogino(Fuji Electric Co. Ltd.,),Haruo Nakazawa(Fuji Electric Co. Ltd.,),Yoshikazu Takahashi(Fuji Electric Co. Ltd.,)

キーワード: 双方向スイッチ|逆阻止ＩＧＢＴ|分離層|導通損失|変換効率|マルチレベル|Bi-directional switch,|Reverse-blocking IGBT,|Through Silicon Isolation,|conduction loss,|conversion efficiency,|multi-level

要約(日本語): マルチレベル電力変換器用1700V逆阻止IGBTを開発した。素子を貫通するハイブリッド式分離層は熱拡散とV溝エッチングで形成した。本稿ではその電気特性について報告する。逆直中間素子（IGBT＋FWD）よりもオン電圧を1.9V低減した。代表的なスイッチング周波数で、A-NPC 3レベル構成で評価した結果、中間素子が逆直素子である場合よりも、インバータ損失が18％減少した。これにより電力変換機器の変換効率向上や機器の小型化に貢献できる。

要約(英語): 1700V reverse-blocking IGBTs are developed for multilevel power converters. Through silicon isolation layer is formed by combining thermal diffusion and V-Groove etching. Electric characteristic will be present in this paper. Compared with conventional bi-directional device (IGBT+FWD), on-state voltage is reduced 1.9V. Benchmarked in 3-Level A-NPC inverter topology, power loss reduces 18%.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,058 Kバイト