カーボンナノチューブ薄膜トランジスタ集積回路の作製と特性評価

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD13034

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス研究会

発行日: 2013/03/07

タイトル(英語): Fabrication and characterization of CNT-TFT integrated circuits

著者名: 水谷 孝(名古屋大学),岸本 茂(名古屋大学)

著者名(英語): Mizutani Takashi(Nagoya University),Kishimoto Shigeru(Nagoya University)

キーワード: カーボンナノチューブ|薄膜トランジスタ|集積回路|リング発振器|走査型プローブ顕微鏡|島状電位分布|arbon nanotube|thin-film transistor|integrated circuit|ring oscillator|scanning probe microscopy|island like potential distribution

要約(日本語): 半導体的振る舞いを示すＣＮＴの優先成長が可能なＰＣＶＤを用いて、ＣＮＴ薄膜トランジスタおよびその集積回を作製し、良好な特性を実現した。

要約(英語): Medium scale integrated circuits with more than 100 carbon nanotube (CNT) thin-film transistors (TFTs) have been successfully fabricated. Our fabrication technology features a buried back-gate architecture made by CNT growth using plasma-enhanced chemical vapor deposition, chemical doping and enhancement/depletion mode logic gates. High-speed operation with a switching time of 0.51 _s/gate demonstrated by a 53-stage ring oscillator.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 4,053 Kバイト