梁構造を用いたGe導波路のバンドギャップの動的制御

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD13039

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス研究会

発行日: 2013/03/07

タイトル(英語): Dynamic Bandgap Control of Ge Waveguide on Si Beam Structure

著者名: 平勢 理士(東京大学),Nguyen Mai Luan (東京大学),和田 一実(東京大学),福田 浩(日本電信電話(株))

著者名(英語): Hirase Masashi(The University of Tokyo),Nguyen Mai Luan (The University of Tokyo),Wada Kazumi(The University of Tokyo),Fukuda Hiroshi(NTT)

キーワード: シリコンフォトニクス|ゲルマニウム|バンドギャップ|光吸収|梁構造|透過測定|Silicon Photonics|Germanium|Bandgap|Absorption|Beam structure|Transmission measurement

要約(日本語): 本論文ではSi梁構造上に製作されたGe導波路を用いて、透過光スペクトルが梁に加えた応力により約40nmの赤方変位を示す。動的な歪み印加による禁制帯制御はGe変調器や光源の波長固定に重要であり、今後波長多重方式をSiフォトニクスに導入する上で重要な役割を果たす。

要約(英語): We have demonstrated stress-tunable Ge waveguides on a Si beam structure. The transmission window of the waveguide is red-shifted by about 40 nm by tensile stress application. This tunability will enable wavelength-locking of Ge modulators and emitters working for dense wavelength division multiplexing (DWDM) in electronic and photonic integrated circuits on Si.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,703 Kバイト