マイクロ波駆動技術を用いた絶縁型ゲート駆動回路

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD13040

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス研究会

発行日: 2013/03/08

タイトル(英語): An isolated gate driver with Drive-by-Microwave technology

著者名: 永井 秀一(パナソニック),根来 昇(パナソニック),福田 健志(パナソニック),河井 康史(パナソニック),上田 哲三(パナソニック),大塚 信之(パナソニック),上田 大助(パナソニック)

著者名(英語): Nagai Shuichi(Panasonic Corporation),Negoro Noboru(Panasonic Corporation),Fukuda Takeshi(Panasonic Corporation),Kawai Yasufumi(Panasonic Corporation),Ueda Tetsuzo(Panasonic Corporation),Otsuka Nobuyuki(Panasonic Corporation),Ueda Daisuke(Panasonic Corporation)

キーワード: ゲートドライバ|ＧａＮ|非接触電力伝送|マイクロ波|パワーデバイス|Gate driver|GaN|Wireless power transmission|Microwave|Power device

要約(日本語): チップ内でマイクロ波の非接触電力伝送をすることで、絶縁ゲート電力と絶縁ゲート信号を同時に供給できるドライブ・バイ・マイクロウェーブ技術を用いた絶縁型ゲート駆動回路を開発した。超小型であるバタフライ型電磁界共鳴結合器を集積した絶縁型ゲート駆動回路チップをサファイア基板上GaN-HFETで作製し、絶縁電源なしでGaN-GITの直接絶縁駆動を実現した。

要約(英語): This work presents new isolated gate drivers with Drive-by-Microwave technology, which can provide isolated gate signal and power all together by using a microwave wireless power transmission in the driver. The one-chip GaN isolated gate driver on a sapphire substrate with a compact butterfly-shaped electro-magnetic resonant coupler successfully demonstrated the direct driving of a GaN-GIT power switching device.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 947 Kバイト